低压化学气相沉积氮化硅薄膜工艺研究
作者：刘宗芳1keny006@163.com尤益辉1LEE Choonghyun1,2
单位：1.中国电子科技南湖研究院2.浙江大学
低压化学气相沉积法（Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD）沉积的氮化硅薄膜（LPSi3N4）具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性，常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜（LPSi3N4）的制备工艺，以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。
DOI：
关键词：
Array
所属期刊栏目：
技术应用
分类号：
TB383.2
页码：
81-84
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